### 產品簡介

2SK1982-01MR-VB 是一種單 N 通道 MOSFET，封裝為 TO220F。該器件具有高電壓和高電流的特點，適用于各種高功率應用。其主要特點包括650V的漏源電壓（VDS）、10A的漏極電流（ID）以及830mΩ的導通電阻（RDS(ON)@VGS=10V）。這種MOSFET采用平面技術，具有良好的開關性能和可靠性。

### 詳細參數說明

- **型號**：2SK1982-01MR-VB
- **封裝**：TO220F
- **配置**：單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：830mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：10A
- **技術**：平面技術

### 應用領域和模塊

2SK1982-01MR-VB 由于其高電壓和高電流特性，適用于多個領域和模塊。

1. **電源管理**：該MOSFET可用于開關電源（SMPS）中的高效能轉換。其高電壓特性使其適合用于DC-DC轉換器和AC-DC轉換器，提供高效的電能管理解決方案。

2. **電機控制**：在工業和消費類應用中，該器件可用于電機驅動和控制模塊。高電流和低導通電阻使其適合用于步進電機和無刷直流電機的驅動。

3. **逆變器**：在太陽能光伏逆變器和不間斷電源（UPS）系統中，2SK1982-01MR-VB 能夠處理高電壓和高功率，確保高效的能量轉換和穩定的輸出。

4. **照明系統**：該MOSFET可用于LED驅動電路中，特別是在高功率LED照明系統中，提供穩定的電流控制和高效的電能轉換。

通過這些應用實例，可以看出2SK1982-01MR-VB 是一種多功能、高性能的MOSFET，適用于需要高電壓、高電流和高效能轉換的各種場合。