### 一、2SK1968-VB 產品簡介

2SK1968-VB 是一款單 N-溝道 MOSFET，采用 TO3P 封裝，適用于高壓和中功率應用。這款 MOSFET 具備 600V 的漏源電壓 (VDS) 和 11A 的漏極電流 (ID)，具有較低的導通電阻和高效率特性，適用于需要高壓開關和放大電路的場合。采用 SJ_Multi-EPI 技術制造，提供卓越的性能和可靠性。

### 二、2SK1968-VB 詳細參數說明

- **封裝**: TO3P
- **配置**: 單 N-溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 600V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 380mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 11A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 三、應用領域和模塊舉例

2SK1968-VB 適用于多種高壓和中功率應用，包括但不限于：

1. **工業電源**:
  - 在工業電源系統中，2SK1968-VB 可用于高功率開關電源、逆變器和穩壓器等電路中，其高漏源電壓和低導通電阻特性使其成為高功率應用的理想選擇。

2. **電動汽車充電樁**:
  - 在電動汽車充電樁中，2SK1968-VB 可用于控制和管理充電電路，其高電流和低導通電阻特性確保了充電樁的高效率和可靠性。

3. **工業驅動器**:
  - 在工業驅動器中，2SK1968-VB 可用于控制和驅動各種高功率電機和設備，例如大型風機、泵等，其高效率和可靠性保證了系統的穩定運行。

4. **電源逆變器**:
  - 在電源逆變器中，2SK1968-VB 可用于將直流電轉換為交流電，其高功率和電流能力使其成為逆變器系統中的重要組成部分。

通過以上應用場景，可以看出 2SK1968-VB 具有廣泛的適用性，能夠滿足各種高壓和中功率需求的應用場合。