--- 產品參數 ---
- 封裝 SC70-3封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 2SK1958-VB 產品簡介
2SK1958-VB 是一款由 VBsemi 生產的單 N 溝道 MOSFET,采用 SC70-3 封裝,適用于低電壓和低功率應用。該型號具有低導通電阻和適中的電流容量,適用于多種電子設備和模塊。其主要特點包括 20V 的漏源電壓(VDS)、48mΩ@VGS=2.5V、40mΩ@VGS=4.5V 和 36mΩ@VGS=10V 的導通電阻(RDS(ON))、4A 的連續漏極電流(ID)以及 0.5~1.5V 的閾值電壓(Vth)。這些特性使其適合用于移動設備、充電保護、LED 燈驅動和低功率開關電路等低功率應用場景。
### 詳細參數說明
| 參數 | 數值 | 單位 |
|-------------|-------------------------|------|
| 封裝類型 | SC70-3 | |
| 配置 | 單 N 溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 20 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | 12 (±) | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 0.5~1.5 | V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=2.5V | 48 | mΩ |
| 導通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 40 | mΩ |
| 導通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 36 | mΩ |
| 漏極電流 (ID) | 4 | A |
| 技術 | 溝道 | |

### 應用領域和模塊示例
2SK1958-VB MOSFET 適用于多個領域和模塊,主要包括以下幾個方面:
1. **移動設備**:在需要輕巧和節能的移動設備中,2SK1958-VB 的低導通電阻和低功率特性使其成為理想的開關元件,有助于延長電池壽命并提高設備性能。
2. **充電保護**:在需要保護充電電池免受過電流和過電壓的影響的電路中,該型號可以用作保護開關,確保電池充電過程安全穩定。
3. **LED 燈驅動**:由于其適中的電流容量和低導通電阻,2SK1958-VB 可用于 LED 燈驅動電路中的開關,提供穩定的電流輸出。
4. **低功率開關電路**:在需要低功率開關控制的電路中,2SK1958-VB 的低導通電阻和適中的電流容量使其成為理想的選擇,如傳感器控制、小型電源和電池管理等領域。
這些示例展示了 2SK1958-VB 在低功率應用中的靈活性和實用性,使其成為許多設計師的理想選擇。
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