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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK1748-Z-T1-VB一款N-Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK1748-Z-T1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào):2SK1748-Z-T1-VB**

2SK1748-Z-T1-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,封裝類(lèi)型為T(mén)O252。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的溝道技術(shù),具備出色的電壓和電流性能,適用于中等功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。其主要特點(diǎn)包括60V的漏源電壓(VDS),±20V的柵源電壓(VGS),以及18A的連續(xù)漏極電流(ID)。此外,它具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在不同柵源電壓下的表現(xiàn),分別為85mΩ@VGS=4.5V 和 73mΩ@VGS=10V。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)          | 值                |
| --------------| ------------------ |
| 型號(hào)          | 2SK1748-Z-T1-VB   |
| 封裝類(lèi)型      | TO252             |
| 配置          | 單N溝道           |
| 漏源電壓(VDS)| 60V               |
| 柵源電壓(VGS)| ±20V              |
| 閾值電壓(Vth)| 1.7V              |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))| 85mΩ @ VGS=4.5V, 73mΩ @ VGS=10V |
| 連續(xù)漏極電流(ID)| 18A              |
| 技術(shù)          | 溝道              |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**應(yīng)用領(lǐng)域:**

1. **電源管理:**
  2SK1748-Z-T1-VB 可以用于中等功率密度的電源管理系統(tǒng)中,例如中功率DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC電源適配器。其高漏源電壓能力和低導(dǎo)通電阻確保了電源轉(zhuǎn)換效率和可靠性。

2. **LED照明:**
  在LED照明系統(tǒng)中,該MOSFET可以用于LED驅(qū)動(dòng)電路。其高電流處理能力和穩(wěn)定性能使其能夠滿(mǎn)足LED的高亮度和長(zhǎng)壽命要求。

3. **工業(yè)控制:**
  在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中,2SK1748-Z-T1-VB可以用于中功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路。其高耐壓特性和穩(wěn)定的電流處理能力使其能在惡劣環(huán)境中長(zhǎng)時(shí)間可靠運(yùn)行。

**模塊示例:**

1. **電源開(kāi)關(guān)模塊:**
  2SK1748-Z-T1-VB 可以集成到中功率電源開(kāi)關(guān)模塊中,用于切換和控制中功率電路。其60V的漏源電壓和低導(dǎo)通電阻確保了模塊的高效率和低損耗。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊:**
  在中功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,該MOSFET可以用于控制電機(jī)的啟停和速度調(diào)節(jié)。其高電流處理能力和穩(wěn)定性能使其能夠滿(mǎn)足電機(jī)的高效能要求。

3. **LED驅(qū)動(dòng)模塊:**
  2SK1748-Z-T1-VB 可以用于設(shè)計(jì)LED驅(qū)動(dòng)電路,特別是需要中等功率密度和穩(wěn)定性能的場(chǎng)合。其穩(wěn)定的性能和高電流處理能力使其能夠驅(qū)動(dòng)高亮度LED并確保其長(zhǎng)壽命工作。

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