### 2SK1591-VB MOSFET 產品簡介

2SK1591-VB 是一款高壓、單通道 N 型 MOSFET，采用 SOT23-3 封裝，適用于低功率和低電流應用。其主要特點包括 100V 的漏源電壓（VDS）、0.26A 的漏極電流（ID），以及在不同柵源電壓下的導通電阻（RDS(ON)）：3000mΩ@VGS=4.5V 和 2800mΩ@VGS=10V。該產品采用槽溝技術制造，適用于需要高壓穩定性和低功耗的場合。

### 2SK1591-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: SOT23-3
- **配置**: 單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 3000mΩ @ VGS=4.5V
 - 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 0.26A
- **技術**: 槽溝技術

### 應用領域和模塊舉例

2SK1591-VB MOSFET 適用于以下低功率、高壓應用領域和模塊：

1. **手機充電保護**: 由于其高壓穩定性和低功耗特性，2SK1591-VB 可用于手機充電保護電路中，確保電池和充電器之間的安全充電。

2. **電池管理**: 在需要高壓保護的電池管理系統中，這款 MOSFET 可用于過壓保護和低功耗控制，延長電池壽命并確保電池安全。

3. **LED 照明**: 在低功率 LED 照明系統中，2SK1591-VB 可用于 LED 驅動器模塊，提供穩定的電流控制和高效的能量轉換。

4. **傳感器接口**: 該 MOSFET 可用于傳感器接口電路中，提供穩定的電壓保護和低功耗控制，確保傳感器系統的穩定運行。

5. **醫療設備**: 在低功率醫療設備中，2SK1591-VB 可用于電源管理和電路控制模塊，提供可靠的電壓穩定性和低功耗特性。

綜上所述，2SK1591-VB MOSFET 在各種低功率、高壓應用中具有廣泛的應用前景，能夠滿足多種領域的需求，特別適用于需要高壓穩定性和低功耗的場合。