### 2SK1591-T1B-A-VB 產品簡介

2SK1591-T1B-A-VB 是一款由 VBsemi 生產的單 N 溝道 MOSFET，采用 SOT23-3 封裝，適用于低功率和中低電壓應用。該型號具有低漏源電壓和適中的導通電阻，適用于多種電子設備和模塊。其主要特點包括 100V 的漏源電壓（VDS）、3000mΩ@VGS=4.5V 和 2800mΩ@VGS=10V 的導通電阻（RDS(ON)）、0.26A 的連續漏極電流（ID）以及 1.5V 的閾值電壓（Vth）。這些特性使其適合用于低功率開關、電源管理和信號放大等應用。

### 詳細參數說明

| 參數        | 數值                    | 單位 |
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| 封裝類型    | SOT23-3                 |      |
| 配置        | 單 N 溝道               |      |
| 漏源電壓 (VDS) | 100                     | V    |
| 柵源電壓 (VGS) | 20 (±)                 | V    |
| 閾值電壓 (Vth)  | 1.5                     | V    |
| 導通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 3000                    | mΩ   |
| 導通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 2800                    | mΩ   |
| 漏極電流 (ID)   | 0.26                    | A    |
| 技術        | 溝道                    |      |

### 應用領域和模塊示例

2SK1591-T1B-A-VB MOSFET 適用于多個領域和模塊，主要包括以下幾個方面：

1. **低功率開關**：在需要控制低功率設備的開關電路中，如 LED 燈控制、小型電機驅動等，2SK1591-T1B-A-VB 的低閾值電壓和低漏源電壓特性非常適用。

2. **電源管理**：在低電壓電源管理中，如便攜式設備和電池供電系統中，該型號可以用作開關或調節器，提供穩定的電源輸出。

3. **信號放大**：在需要放大信號的電路中，2SK1591-T1B-A-VB 可以作為信號放大器的關鍵部件，提供穩定的信號放大功能。

4. **電池保護**：在需要保護電池免受過電流和過電壓的影響的電路中，該型號可以用作保護開關，確保電池處于安全狀態。

這些示例展示了 2SK1591-T1B-A-VB 在各種低功率和低電壓應用中的靈活性和實用性，使其成為許多設計師的理想選擇。