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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK1585-VB一款N-Channel溝道SOT89的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 2SK1585-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT89封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào):2SK1585-VB**

2SK1585-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,封裝類型為SOT89。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的溝道技術(shù),具備出色的電壓和電流性能,非常適用于低壓、高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。其主要特點(diǎn)包括30V的漏源電壓(VDS),±20V的柵源電壓(VGS),以及6.8A的連續(xù)漏極電流(ID)。此外,它具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在不同柵源電壓下的表現(xiàn),分別為30mΩ@VGS=2.5V 和 22mΩ@VGS=4.5V。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)          | 值                |
| --------------| ------------------ |
| 型號(hào)          | 2SK1585-VB        |
| 封裝類型      | SOT89             |
| 配置          | 單N溝道           |
| 漏源電壓(VDS)| 30V               |
| 柵源電壓(VGS)| ±20V             |
| 閾值電壓(Vth)| 1.7V             |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))| 30mΩ @ VGS=2.5V, 22mΩ @ VGS=4.5V |
| 連續(xù)漏極電流(ID)| 6.8A            |
| 技術(shù)          | 溝道              |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**應(yīng)用領(lǐng)域:**

1. **電源管理:**
  2SK1585-VB 可以用于低壓電源管理系統(tǒng)中,例如移動(dòng)設(shè)備和小型電子產(chǎn)品的電源管理。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其適用于高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。

2. **電池管理:**
  在電池充放電管理電路中,該MOSFET可以用于電池保護(hù)和電池組管理。其低閾值電壓和低導(dǎo)通電阻確保了對(duì)電池電壓的精確控制和低損耗。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):**
  在小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,2SK1585-VB可以用于控制電機(jī)的啟停和速度調(diào)節(jié)。其高電流處理能力和穩(wěn)定性能使其能夠滿足電機(jī)的高效能要求。

**模塊示例:**

1. **低壓開關(guān)模塊:**
  2SK1585-VB 可以集成到低壓開關(guān)模塊中,用于控制和切換低電壓電路。其30V的漏源電壓和低導(dǎo)通電阻確保了模塊的高效率和低損耗。

2. **功率放大模塊:**
  在音頻和RF功率放大應(yīng)用中,該MOSFET可以作為功率放大器的一部分。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了信號(hào)的高保真放大。

3. **LED驅(qū)動(dòng)模塊:**
  2SK1585-VB 可以用于設(shè)計(jì)LED驅(qū)動(dòng)電路,特別是需要高功率密度和低能耗的場(chǎng)合。其穩(wěn)定的性能和高電流處理能力使其能夠驅(qū)動(dòng)高亮度LED并確保其長(zhǎng)壽命工作。

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