--- 產品參數 ---
- 封裝 TO3P封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、2SK1573-VB 產品簡介
2SK1573-VB 是一種高性能的單 N-溝道 MOSFET,封裝形式為 TO3P,適用于各種高壓和高電流應用。這款 MOSFET 具備 600V 的漏源電壓 (VDS) 和 15A 的漏極電流 (ID),并且采用了 SJ_Multi-EPI 技術,以確保在高壓環境下的穩定運行。2SK1573-VB 的設計在開關和放大電路中具有出色的性能,特別適合需要高效率和可靠性的場景。
### 二、2SK1573-VB 詳細參數說明
- **封裝**: TO3P
- **配置**: 單 N-溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 600V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 280mΩ (在 VGS = 10V 時)
- **漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 三、應用領域和模塊舉例
2SK1573-VB MOSFET 在多個領域和模塊中都有廣泛的應用,具體包括:
1. **開關電源 (SMPS)**:
- 在開關電源中,2SK1573-VB 用于高效的電力轉換。這種應用需要高耐壓和低導通電阻以實現高效的電能傳遞和最小化功率損耗。
2. **逆變器**:
- 在太陽能和風能逆變器中,這款 MOSFET 用于將直流電轉換為交流電。其高電壓和電流能力使其適用于需要穩定和可靠輸出的逆變器系統。
3. **電機驅動**:
- 在工業和家用電器中的電機驅動電路中,2SK1573-VB 能夠提供高效率的電能轉換和控制,確保電機運行平穩且高效。
4. **電池管理系統 (BMS)**:
- 在電動汽車和儲能系統中,2SK1573-VB 用于電池的充放電控制和電壓管理,其高耐壓特性確保系統的安全性和可靠性。
通過以上的應用場景,可以看出2SK1573-VB 具有廣泛的適用性,能夠滿足各種高壓和高電流需求的應用場合。
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