### 產品簡介

**型號：2SK1516-VB**

2SK1516-VB是一款采用TO-3P封裝的單N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。該產品具有高漏極電壓和較低導通電阻，適用于需要高功率和高效率的應用場景。其采用了SJ_Multi-EPI技術，具備良好的電氣特性和可靠性。

### 詳細參數說明

- **封裝：** TO-3P
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)：** 600V
- **柵源電壓 (VGS)：** ±30V
- **閾值電壓 (Vth)：** 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))：** 380mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)：** 11A
- **技術：** SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊實例

**1. 電力電子變流器：**

2SK1516-VB適用于需要高漏極電壓和高功率的電力電子變流器中的功率開關。其較低的導通電阻和高漏極電壓能夠提供穩定的功率轉換和高效率。

**2. 高壓直流輸電系統：**

在高壓直流輸電系統中，該MOSFET可用于功率開關和調節器。其高漏極電壓和較低的導通電阻有助于提高能量轉換效率和系統穩定性。

**3. 高性能電源模塊：**

2SK1516-VB適用于高性能電源模塊中的功率開關和調節器。其高漏極電壓和較低的導通電阻能夠提高能量轉換效率和系統穩定性。

**4. 工業高頻電子設備：**

在工業高頻電子設備中，該型號可用于功率開關和調節器。其高漏極電流和較低的導通電阻可提高設備的效率和響應速度。

通過以上應用實例，可以看出2SK1516-VB MOSFET在需要高功率和高效率的領域中的廣泛適用性，體現了其在現代電子設備中的重要性。