### 產品簡介

**型號**: 2SK1507-01MR-VB  
**封裝**: TO220F  
**配置**: 單N溝道MOSFET  
**技術**: Plannar

2SK1507-01MR-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Plannar技術，封裝為TO220F。具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻，適用于各種電路設計。

### 詳細參數說明

- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 10A
- **封裝類型**: TO220F
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
- **功耗 (Ptot)**: 100W

### 應用領域與模塊示例

2SK1507-01MR-VB MOSFET 可以廣泛應用于各種領域和模塊中，例如：

1. **電源管理**:
  - 在低壓電源管理中用作開關器件，實現高效的能量轉換。
  - 適用于手機充電器和筆記本電腦電源管理模塊。

2. **電機驅動**:
  - 在直流馬達驅動器中用于控制馬達速度和方向。
  - 適用于電動工具和家用電器的馬達驅動模塊。

3. **照明控制**:
  - 在LED照明系統中用于控制LED的亮度和顏色。
  - 適用于室內照明和汽車照明控制模塊。

4. **電力逆變**:
  - 在電力逆變器中用于將直流電轉換為交流電。
  - 適用于太陽能逆變器和風力發電逆變器模塊。

5. **電動汽車**:
  - 在電動汽車中用于控制電動機的速度和扭矩。
  - 適用于電動汽車的電機驅動模塊。

2SK1507-01MR-VB 的特性使其成為各種低壓應用中的理想選擇，能夠提供穩定可靠的性能和高效的能量轉換。