### 2SK1503-01-VB MOSFET 產品概述

**簡介：**
2SK1503-01-VB是VBsemi設計的N-Channel MOSFET，適用于中壓應用。采用平面（Plannar）技術，具有較低的導通電阻和較高的漏極-源極電壓，適用于需要處理中等電壓和電流的應用。

**特點：**
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 500V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.1V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 660mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流（ID）：** 13A
- **技術：** Plannar
- **封裝：** TO220
- **配置：** 單N-Channel

### 詳細規格

1. **電氣特性：**
  - **最大漏極-源極電壓（VDS）：** 500V
  - **最大柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
  - **閾值電壓（Vth）：** 3.1V
  - **導通電阻（RDS(ON)）：** 660mΩ @ VGS = 10V
  - **連續漏極電流（ID）：** 13A

2. **熱性能和機械特性：**
  - **封裝類型：** TO220
  - **結-外界熱阻：** 標準TO220封裝的熱阻
  - **最大結溫（Tj）：** 由制造商指定

3. **性能特點：**
  - **技術：** Plannar
  - **柵極電荷（Qg）：** 基于VGS和ID的典型值
  - **輸入電容（Ciss）：** 高頻操作的典型值

### 應用示例

1. **電源轉換器：**
  2SK1503-01-VB可用于中壓電源轉換器和穩壓器。其適中的電壓和電流能力使其成為各種電源轉換應用的理想選擇。

2. **照明系統：**
  該MOSFET適用于中壓照明系統中的驅動電路，如LED驅動器和熒光燈鎮流器。其高效率和可靠性確保了照明系統的穩定運行。

3. **工業控制系統：**
  在工業控制系統中，2SK1503-01-VB可用于控制開關和電流控制器。其高電壓阻隔和可靠性能使其成為工業控制設備的重要組成部分。

綜上所述，VBsemi的2SK1503-01-VB MOSFET是一款適用于中壓應用的N-Channel MOSFET，具有低導通電阻和高電壓阻隔能力，適用于電源轉換、照明系統和工業控制等領域。其穩定的性能和高可靠性使其成為各種應用的理想選擇。