--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**型號**: 2SK1441-VB
**封裝**: TO220
**配置**: 單N溝道MOSFET
**技術**: 平面型
2SK1441-VB是一款高壓、單N溝道MOSFET,采用平面型技術,封裝形式為TO220。該器件具備較高的漏源電壓和較低的導通電阻,適用于高壓應用場合。
### 詳細參數說明
- **漏源電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.1V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 660mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 13A
- **封裝類型**: TO220
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
- **功耗 (Ptot)**: 150W

### 應用領域與模塊示例
2SK1441-VB MOSFET 適用于高壓應用場合。以下是一些具體的應用領域和模塊示例:
1. **開關電源**:
- 在高壓開關電源(SMPS)中用作主開關器件,實現高效的電能轉換。
- 適用于工業電源和通信設備的高壓電源模塊。
2. **逆變器**:
- 在逆變器中用于高壓電流轉換,提供穩定的電力輸出。
- 適用于太陽能光伏逆變器和不間斷電源(UPS)系統。
3. **電機驅動**:
- 在高壓電機驅動器中用于電機控制,確保電機的高效運行。
- 適用于工業電機和家用電器的驅動電路。
4. **電力控制**:
- 在高壓電力控制系統中用作開關器件,實現電力的精確控制和調節。
- 適用于電力變換器和高壓直流輸電(HVDC)系統。
5. **高壓放大器**:
- 在高壓放大器電路中用于放大電信號,提供高功率的輸出。
- 適用于射頻(RF)放大器和音頻功率放大器。
2SK1441-VB 的高壓特性和低導通電阻使其成為各種高壓應用中的理想選擇,能夠在復雜的工作環境中提供穩定可靠的性能。
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