### 一、2SK1404-VB產品簡介

VBsemi的2SK1404-VB是一款高壓單N溝道MOSFET，采用Plannar技術制造。該器件封裝在TO-220F封裝中，具備較高的漏源電壓和適中的電流處理能力，適用于需要承受較高電壓和適中電流的功率管理和開關應用。其特性包括650V的漏源電壓（VDS）和±30V的柵源電壓（VGS），確保了在各種高壓電路中的穩定運行。

### 二、2SK1404-VB詳細參數說明

- **型號**: 2SK1404-VB
- **封裝類型**: TO-220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術**: Plannar

### 三、應用領域和模塊舉例

1. **電源管理**: 由于2SK1404-VB具有高漏源電壓和適中導通電阻，適用于高壓電源管理系統中的開關元件。可以用于電動汽車充電樁、工業電源等領域中的電源管理。

2. **工業控制系統**: 在工業控制系統中，需要高壓和適中電流處理能力的開關器件來控制各種工業設備。2SK1404-VB的特性使其成為這類應用的理想選擇。

3. **電動汽車充電樁**: 該MOSFET適用于電動汽車充電樁中的功率開關，確保了在高壓環境下的穩定運行。其高性能和可靠性使其成為電動汽車充電樁的理想選擇。

綜上所述，2SK1404-VB適用于需要高壓和適中電流處理能力的功率管理和開關應用。其特性使其在電動汽車充電樁、工業控制系統和電源管理等領域中都有著廣泛的應用前景。