--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、2SK1335-VB產品簡介
VBsemi的2SK1335-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,采用Trench技術制造。該器件封裝在TO-251封裝中,具備較高的漏源電壓和適中的電流處理能力,適用于需要承受較高電壓和適中電流的功率管理和開關應用。其特性包括200V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),確保了在各種高壓電路中的穩定運行。
### 二、2SK1335-VB詳細參數說明
- **型號**: 2SK1335-VB
- **封裝類型**: TO-251
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 270mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 8A
- **技術**: Trench

### 三、應用領域和模塊舉例
1. **電源管理**: 由于2SK1335-VB具有高漏源電壓和適中導通電阻,適用于高壓電源管理系統中的開關元件。可以用于電動汽車充電樁、工業電源等領域中的電源管理。
2. **醫療設備**: 在醫療設備中,需要高壓和適中電流處理能力的開關器件來控制設備的啟停和功能調節。2SK1335-VB的特性使其成為這類應用的理想選擇。
3. **工業自動化**: 該MOSFET適用于工業自動化領域中的各種控制系統,如PLC、傳感器控制等。其穩定性和可靠性使其成為工業環境中的理想選擇。
綜上所述,2SK1335-VB適用于需要高壓和適中電流處理能力的功率管理和開關應用。其特性使其在電動汽車充電樁、醫療設備和工業自動化等領域中都有著廣泛的應用前景。
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