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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK1228-VB一種N-Channel溝道SOT23-3封裝MOS管

型號(hào): 2SK1228-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-3封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**產(chǎn)品型號(hào):2SK1228-VB**

**封裝類型:SOT23-3**

**配置:?jiǎn)我籒溝道**

**技術(shù):Trench**

**主要特點(diǎn):**
- **VDS(漏源電壓):** 60V
- **VGS(柵源電壓):** ±20V
- **Vth(閾值電壓):** 1.7V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):** 3100mΩ@VGS=4.5V,2800mΩ@VGS=10V
- **ID(漏極電流):** 0.3A

2SK1228-VB是一款低壓N溝道MOSFET,適用于低功率應(yīng)用。

### 參數(shù)說明

1. **基本參數(shù):**
  - **型號(hào):** 2SK1228-VB
  - **封裝類型:** SOT23-3
  - **配置:** 單一N溝道
  - **技術(shù):** Trench

2. **電氣特性:**
  - **漏源電壓 (VDS):** 60V
  - **柵源電壓 (VGS):** ±20V
  - **閾值電壓 (Vth):** 1.7V

3. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
  - **@ VGS=4.5V:** 3100mΩ
  - **@ VGS=10V:** 2800mΩ

4. **漏極電流 (ID):** 0.3A

5. **其他特性:**
  - **最大耗散功率:** 0.6W
  - **工作溫度范圍:** -55°C 至 150°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **低功率電路:**
  由于2SK1228-VB具有低漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻,適用于各種低功率電路中,如傳感器接口、小功率放大器等。

2. **移動(dòng)設(shè)備:**
  在手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備中的電源管理電路,這款MOSFET可用于開關(guān)電源和電池管理,確保高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流輸出。

3. **LED驅(qū)動(dòng):**
  在LED照明系統(tǒng)中,2SK1228-VB可用于開關(guān)電源和LED驅(qū)動(dòng)器,提供穩(wěn)定的電流輸出和高效的能量轉(zhuǎn)換。

4. **便攜式電子產(chǎn)品:**
  在便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理電路,這款MOSFET可用于電池管理和功率開關(guān),提供高效的能量管理和長(zhǎng)時(shí)間的電池壽命。

綜上所述,2SK1228-VB是一款適用于低功率應(yīng)用的低壓N溝道MOSFET,可廣泛應(yīng)用于低功率電路、移動(dòng)設(shè)備、LED驅(qū)動(dòng)和便攜式電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。

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