### 2SK1199-VB MOSFET 產品概述

**簡介：**
2SK1199-VB是VBsemi設計的N-Channel MOSFET，適用于需要高壓、低導通電阻和適中電流承載能力的各種應用。采用SJ_Multi-EPI技術，具有穩(wěn)定的性能和可靠性，是對性能和可靠性要求高的應用的理想選擇。

**特點：**
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 900V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 1500mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流（ID）：** 5A
- **技術：** SJ_Multi-EPI
- **封裝：** TO220
- **配置：** 單N-Channel

### 詳細規(guī)格

1. **電氣特性：**
  - **最大漏極-源極電壓（VDS）：** 900V
  - **最大柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
  - **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
  - **導通電阻（RDS(ON)）：** 1500mΩ @ VGS = 10V
  - **連續(xù)漏極電流（ID）：** 5A

2. **熱性能和機械特性：**
  - **封裝類型：** TO220
  - **結-外界熱阻：** 標準TO220封裝的熱阻
  - **最大結溫（Tj）：** 由制造商指定

3. **性能特點：**
  - **技術：** SJ_Multi-EPI
  - **柵極電荷（Qg）：** 基于VGS和ID的典型值
  - **輸入電容（Ciss）：** 高頻操作的典型值

### 應用示例

1. **電源逆變器：**
  2SK1199-VB可用于電源逆變器中，將直流電轉換為交流電。其高漏極-源極電壓和穩(wěn)定性能確保了在家庭和工業(yè)應用中的可靠運行。

2. **工業(yè)電源系統(tǒng)：**
  2SK1199-VB可用于工業(yè)電源系統(tǒng)中的電源管理和驅動器。其適中的電流承載能力和低導通電阻使其成為工業(yè)環(huán)境中的理想選擇，確保設備的穩(wěn)定運行。

3. **太陽能逆變器：**
  由于2SK1199-VB具有高電壓承載能力和穩(wěn)定性能，因此可用于太陽能逆變器中，確保太陽能電池板向電網輸送電能時的高效率和穩(wěn)定性。

總之，VBsemi的2SK1199-VB MOSFET是一款穩(wěn)定性能和可靠性的高壓N-Channel MOSFET，適用于電源逆變器、工業(yè)電源系統(tǒng)和太陽能逆變器等應用。其穩(wěn)定的性能和高可靠性使其成為苛刻環(huán)境下的理想選擇。