--- 產品參數 ---
- 封裝 TO3P封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 2SK1161-VB MOSFET 產品概述
**簡介:**
2SK1161-VB是VBsemi設計的N-Channel MOSFET,適用于需要高壓、低導通電阻和適中電流承載能力的各種應用。采用SJ_Multi-EPI技術,具有穩定的性能和可靠性,是對性能和可靠性要求高的應用的理想選擇。
**特點:**
- **漏極-源極電壓(VDS):** 600V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON)):** 380mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流(ID):** 11A
- **技術:** SJ_Multi-EPI
- **封裝:** TO3P
- **配置:** 單N-Channel
### 詳細規格
1. **電氣特性:**
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** 600V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±30V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON)):** 380mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流(ID):** 11A
2. **熱性能和機械特性:**
- **封裝類型:** TO3P
- **結-外界熱阻:** 標準TO3P封裝的熱阻
- **最大結溫(Tj):** 由制造商指定
3. **性能特點:**
- **技術:** SJ_Multi-EPI
- **柵極電荷(Qg):** 基于VGS和ID的典型值
- **輸入電容(Ciss):** 高頻操作的典型值

### 應用示例
1. **電源逆變器:**
2SK1161-VB可用于電源逆變器中,將直流電轉換為交流電。其高漏極-源極電壓和穩定性能確保了在家庭和工業應用中的可靠運行。
2. **工業電源系統:**
2SK1161-VB可用于工業電源系統中的電源管理和驅動器。其適中的電流承載能力和低導通電阻使其成為工業環境中的理想選擇,確保設備的穩定運行。
3. **電動汽車充電樁:**
由于2SK1161-VB具有高電壓承載能力和穩定性能,因此可用于電動汽車充電樁中的電源管理和驅動器,確保充電過程的安全和高效。
總之,VBsemi的2SK1161-VB MOSFET是一款穩定性能和可靠性的高壓N-Channel MOSFET,適用于電源逆變器、工業電源系統和電動汽車充電樁等應用。其穩定的性能和高可靠性使其成為苛刻環境下的理想選擇。
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