### 一、2SK1158-VB產品簡介
VBsemi的2SK1158-VB是一款高壓單N溝道MOSFET，采用平面技術（Plannar）制造。該器件封裝在TO-220封裝中，具備較高的漏源電壓和電流處理能力，適用于需要承受高電壓和電流的功率管理和開關應用。其特性包括500V的漏源電壓（VDS）和±30V的柵源電壓（VGS），確保了在各種電路中的穩定運行。
### 二、2SK1158-VB詳細參數說明
- **型號**: 2SK1158-VB
- **封裝類型**: TO-220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.1V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 660mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術**: Plannar
### 三、應用領域和模塊舉例
1. **電源逆變器**: 由于2SK1158-VB具有較高的漏源電壓和電流處理能力，適用于電源逆變器中的開關元件。這些逆變器可用于將直流電轉換為交流電，用于太陽能逆變器、UPS系統等的電能轉換。
2. **電動汽車充電樁**: 在電動汽車充電樁中，需要高壓和高電流的開關器件來控制充電電流和保證安全性。2SK1158-VB的特性使其成為這類應用的理想選擇。
3. **工業控制系統**: 該MOSFET適用于各種工業控制系統，如PLC、電機驅動器等。其高性能和可靠性使其成為工業環境中的理想選擇。
綜上所述，2SK1158-VB適用于需要高壓和電流處理能力的功率管理和開關應用。其特性使其在工業、電動汽車和可再生能源等領域中都有著廣泛的應用前景。
