### 一、2SK1117-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK1117-VB 是一款單一 N 通道 MOSFET，封裝形式為 TO220。該型號(hào)采用 Plannar 技術(shù)制造，具有較高的漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻，適用于中功率電路設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓（VDS）為 600V，最大柵源電壓（VGS）為 ±30V，閾值電壓（Vth）為 3.5V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在 VGS=4.5V 時(shí)為 1070mΩ，在 VGS=10V 時(shí)為 780mΩ，最大漏極電流（ID）為 8A。

### 二、2SK1117-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**：2SK1117-VB
- **封裝**：TO220
- **類(lèi)型**：?jiǎn)我?N 通道
- **技術(shù)**：Plannar
- **最大漏源電壓 (VDS)**：600V
- **最大柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
 - @ VGS=4.5V：1070mΩ
 - @ VGS=10V：780mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**：8A
- **導(dǎo)通延遲時(shí)間**：< 10ns
- **關(guān)斷延遲時(shí)間**：< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**：40nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**：10nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**：30nC
- **熱阻 (RθJC)**：< 2.5°C/W
- **工作溫度范圍**：-55°C 至 175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實(shí)例

#### 電源管理模塊
2SK1117-VB 在中功率電源管理模塊中有廣泛應(yīng)用，特別是在需要承受較高電壓和電流的場(chǎng)合，如開(kāi)關(guān)電源和穩(wěn)壓器。

#### 電動(dòng)汽車(chē)充電器
由于其較高的漏極電流和較低的導(dǎo)通電阻，該型號(hào)適用于電動(dòng)汽車(chē)電池管理系統(tǒng)中的功率開(kāi)關(guān)電路，確保系統(tǒng)的高效率和安全性。

#### 工業(yè)電機(jī)控制
在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域，2SK1117-VB 可用于各種中功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng)，如風(fēng)力發(fā)電機(jī)、泵站控制等。

#### 電源逆變器
在太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源系統(tǒng)中，該型號(hào)可用于逆變器電路，幫助實(shí)現(xiàn)能量的高效轉(zhuǎn)換和管理。

#### 高性能電源放大器
在音響系統(tǒng)和專(zhuān)業(yè)音響設(shè)備中，2SK1117-VB 可用于功率放大器電路，提供高保真度的音頻放大。

綜上所述，2SK1117-VB 在中功率電路設(shè)計(jì)中具有廣泛的應(yīng)用前景，是一款適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)的高性能 MOSFET 元件。