### 產品簡介

**產品型號：2SK1096-MR-VB**

**封裝類型：TO220F**

**配置：單一N溝道**

**技術：Trench**

**主要特點：**
- **VDS（漏源電壓）：** 60V
- **VGS（柵源電壓）：** ±20V
- **Vth（閾值電壓）：** 1.7V
- **RDS(ON)（導通電阻）：** 27mΩ@VGS=10V
- **ID（漏極電流）：** 45A

2SK1096-MR-VB是一款高性能N溝道MOSFET，適用于高電流和低壓降的應用。

### 參數說明

1. **基本參數：**
  - **型號：** 2SK1096-MR-VB
  - **封裝類型：** TO220F
  - **配置：** 單一N溝道
  - **技術：** Trench

2. **電氣特性：**
  - **漏源電壓 (VDS)：** 60V
  - **柵源電壓 (VGS)：** ±20V
  - **閾值電壓 (Vth)：** 1.7V

3. **導通電阻 (RDS(ON))：**
  - **@ VGS=10V：** 27mΩ

4. **漏極電流 (ID)：** 45A

5. **其他特性：**
  - **最大耗散功率：** 150W
  - **工作溫度范圍：** -55°C 至 150°C

### 應用領域和模塊

1. **電機驅動：**
  由于2SK1096-MR-VB具有高漏極電流和低導通電阻，適用于各種電機驅動應用，如電動工具、電動汽車等，提供高效的功率控制。

2. **電源開關：**
  在各種電源開關中，這款MOSFET可以提供穩定的電源開關和能量轉換，適用于各種電源管理應用。

3. **汽車電子：**
  在汽車電子領域，2SK1096-MR-VB可用于車輛電子控制單元（ECU）中的馬達控制和其他功率開關應用，提高汽車電子系統的效率和可靠性。

4. **工業控制：**
  在工業控制系統中，這款MOSFET可用于高功率的電機驅動、伺服控制和機器人控制中，確保系統的高可靠性和低功耗。

綜上所述，2SK1096-MR-VB是一款高性能的N溝道MOSFET，適用于各種高電流和低壓降的應用，是許多電子系統中的理想選擇。