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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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2SK1008-01-VB一種N-Channel溝道TO220封裝MOS管

型號: 2SK1008-01-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、2SK1008-01-VB 產品簡介

2SK1008-01-VB 是一款單一 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO220。該型號采用 Plannar 技術制造,具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻,適用于中功率電路設計。其最大漏源電壓(VDS)為 600V,最大柵源電壓(VGS)為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V,導通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 時為 1070mΩ,在 VGS=10V 時為 780mΩ,最大漏極電流(ID)為 8A。

### 二、2SK1008-01-VB 詳細參數說明

- **型號**:2SK1008-01-VB
- **封裝**:TO220
- **類型**:單一 N 通道
- **技術**:Plannar
- **最大漏源電壓 (VDS)**:600V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - @ VGS=4.5V:1070mΩ
 - @ VGS=10V:780mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**:8A
- **導通延遲時間**:< 10ns
- **關斷延遲時間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:40nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:10nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:30nC
- **熱阻 (RθJC)**:< 2.5°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應用領域和模塊實例

#### 電源管理模塊
2SK1008-01-VB 在中功率電源管理模塊中有廣泛應用,特別是在需要承受較高電壓和電流的場合,如電源逆變器和開關電源。

#### 電動汽車充電器
由于其較高的漏極電流和較低的導通電阻,該型號適用于電動汽車充電器中的功率開關電路,確保充電器的高效率和安全性。

#### 工業電機控制
在工業電機控制領域,2SK1008-01-VB 可用于各種中功率電機驅動和控制系統,如風力發電機、泵站控制等。

#### 電力傳輸與分配
該型號也可用于電力傳輸和分配系統中的功率開關和保護電路,確保電力系統的穩定性和安全性。

#### 電源逆變器
在太陽能和風能等可再生能源系統中,2SK1008-01-VB 可用于逆變器電路,幫助實現能量的高效轉換和管理。

綜上所述,2SK1008-01-VB 在中功率電路設計中具有廣泛的應用前景,是一款高性能 MOSFET 元件,適用于多種電子設備和系統。

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