--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 P-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、2SJ664-VB 產品簡介
2SJ664-VB 是一款單一 P 通道 MOSFET,封裝形式為 TO263。該型號采用 Trench 技術制造,具有較低的導通電阻和優秀的開關特性,適用于中功率電路設計。其最大漏源電壓(VDS)為 -100V,最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 -2V,導通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 時為 50mΩ,在 VGS=10V 時為 40mΩ,最大漏極電流(ID)為 -37A。
### 二、2SJ664-VB 詳細參數說明
- **型號**:2SJ664-VB
- **封裝**:TO263
- **類型**:單一 P 通道
- **技術**:Trench
- **最大漏源電壓 (VDS)**:-100V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-2V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS=4.5V:50mΩ
- @ VGS=10V:40mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**:-37A
- **導通延遲時間**:< 10ns
- **關斷延遲時間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:70nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:18nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:52nC
- **熱阻 (RθJC)**:< 1.2°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應用領域和模塊實例
#### 電源管理模塊
2SJ664-VB 在中功率電源管理模塊中有廣泛應用,如開關電源和穩壓器,特別是在需要高效率和低損耗的應用中表現優異。
#### 汽車電子
由于其較高的漏極電流和較低的導通電阻,該型號適用于汽車電子系統中的功率開關和驅動電路,如車載充電器、電動車電池管理系統等。
#### 工業控制
在工業控制領域,2SJ664-VB 可用于各種中功率電機驅動和控制系統,如工業自動化設備和機械控制系統。
#### LED 照明
在 LED 照明應用中,該型號可用于 LED 驅動電路和調光系統,幫助實現高效率和穩定性的 LED 光源控制。
#### 通信設備
在通信設備中,2SJ664-VB 可用于功率放大器和電源管理模塊,確保設備在高效率和穩定性下工作。
綜上所述,2SJ664-VB 在中功率電路設計中具有廣泛的應用前景,是一款高性能 MOSFET 元件,適用于多種電子設備和系統。
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