### 產品簡介
**型號：2SJ637-TL-E-VB**
2SJ637-TL-E-VB 是一款單P溝道MOSFET，采用溝槽技術制造，具有高可靠性和性能穩定性。該器件設計用于高壓應用，能夠在-100V的漏源電壓下提供可靠的性能。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**：TO252
- **配置**：單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：-100V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：-2V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
- 280mΩ @ VGS = 4.5V
- 250mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**：-8.8A
- **技術類型**：溝槽型（Trench）
### 應用領域和模塊示例
**電源管理**：2SJ637-TL-E-VB 可用作電源管理模塊中的高效功率開關，如在電源適配器和開關模式電源中。
**電動工具**：適用于電動工具中的電機驅動和控制，可提供可靠的功率開關控制，如電動鉆、電鋸等工具。
**汽車電子**：在汽車電子系統中，該器件可用于車載電源管理、照明控制和其他高壓應用，提供穩定的電源控制。
**工業控制**：用于工業自動化和控制系統中的高壓開關，如在PLC（可編程邏輯控制器）和工業電機驅動器中。
**LED照明**：在高功率LED照明系統中，可用作高效能的電源開關，提供穩定的電流控制和節能功能。
2SJ637-TL-E-VB 的設計和參數使其成為多種高壓應用的理想選擇，能夠提供可靠的性能和高效的電源管理能力。
