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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SJ610-TL-E-VB一種P-Channel溝道TO252封裝MOS管

型號(hào): 2SJ610-TL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SJ610-TL-E-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介

VBsemi的2SJ610-TL-E-VB是一款高壓?jiǎn)蜳溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造。該器件封裝在TO-252封裝中,具備較高的漏源電壓和電流處理能力,適用于需要承受高電壓和電流的功率管理和開關(guān)應(yīng)用。其特性包括-250V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),確保了在高壓環(huán)境中的可靠性和穩(wěn)定性。

### 二、2SJ610-TL-E-VB詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: 2SJ610-TL-E-VB
- **封裝類型**: TO-252
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -250V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 1200mΩ @ VGS=4.5V
 - 1000mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -6A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源開關(guān)模塊**: 由于2SJ610-TL-E-VB具有較高的漏源電壓和較低的導(dǎo)通電阻,在電源開關(guān)模塊中有著廣泛的應(yīng)用。這些模塊在電源管理系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用,如開關(guān)電源和逆變器。

2. **照明系統(tǒng)**: 該MOSFET也適用于需要承受高壓的照明系統(tǒng)中。它可以作為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)器中的開關(guān)元件,用于調(diào)節(jié)LED燈的亮度和工作模式。

3. **電動(dòng)汽車充電樁**: 在電動(dòng)汽車充電樁中,需要高壓和高電流的開關(guān)器件來控制充電電流和保證安全性。2SJ610-TL-E-VB的特性使其成為這類應(yīng)用的理想選擇。

綜上所述,2SJ610-TL-E-VB適用于需要承受高壓和電流的各種功率管理和開關(guān)應(yīng)用。其高性能和可靠性使其在工業(yè)、汽車和消費(fèi)電子等領(lǐng)域中都有著重要的應(yīng)用前景。

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