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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SJ604-VB一種P-Channel溝道TO220封裝MOS管

型號: 2SJ604-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SJ604-VB 產(chǎn)品簡介

2SJ604-VB 是一款由 VBsemi 提供的單一 P 通道 MOSFET,封裝形式為 TO220。該型號采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)制造,具有較低的導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能,非常適合需要高效能和可靠性的應(yīng)用場合。其最大漏源電壓(VDS)為 -60V,最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 -1.7V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 時(shí)為 26mΩ,在 VGS=10V 時(shí)為 19mΩ,最大漏極電流(ID)為 -50A。

### 二、2SJ604-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:2SJ604-VB
- **封裝**:TO220
- **類型**:單一 P 通道
- **技術(shù)**:Trench
- **最大漏源電壓 (VDS)**:-60V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - @ VGS=4.5V:26mΩ
 - @ VGS=10V:19mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**:-50A
- **導(dǎo)通延遲時(shí)間**:< 10ns
- **關(guān)斷延遲時(shí)間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:60nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:20nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:40nC
- **熱阻 (RθJC)**:< 1°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實(shí)例

#### 電源管理模塊
2SJ604-VB 在電源管理模塊中有廣泛應(yīng)用,特別是在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)中。它的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在高效率和低損耗的轉(zhuǎn)換電路中表現(xiàn)出色。

#### 汽車電子
該 MOSFET 常用于汽車電子系統(tǒng),如電動轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)、車載充電器和電動汽車動力系統(tǒng)。其高電流處理能力和耐高溫性能確保了在苛刻的汽車環(huán)境中能夠穩(wěn)定工作。

#### 工業(yè)控制
在工業(yè)控制領(lǐng)域,2SJ604-VB 適用于電機(jī)驅(qū)動和控制系統(tǒng)。其高電流容量和快速開關(guān)性能使其在需要精確控制的工業(yè)應(yīng)用中非常合適,如伺服控制和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動。

#### 可再生能源系統(tǒng)
該 MOSFET 也廣泛應(yīng)用于太陽能和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)中,特別是在逆變器和能量存儲系統(tǒng)中。其高效的電流處理能力和耐用性使其成為這些系統(tǒng)中關(guān)鍵元件之一,幫助實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換和管理。

這些應(yīng)用實(shí)例展示了 2SJ604-VB 在各種高要求環(huán)境中的廣泛適用性,使其成為各類電子和電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)中不可或缺的元件。

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