--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 P-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**型號:2SJ477-01MR_06-VB**
2SJ477-01MR_06-VB 是一款單P溝道MOSFET,采用TO220F封裝,具備高性能和可靠性。其采用槽溝道(Trench)技術,結合了高導通電流和低導通電阻的特點,適用于中功率應用。
### 產品詳細參數
- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 60mΩ @ VGS = 4.5V
- 50mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: -30A
- **技術類型**: 槽溝道(Trench)

### 應用領域及模塊
2SJ477-01MR_06-VB MOSFET 在多個領域和模塊中具有廣泛的應用。以下是一些示例:
1. **電源管理模塊**: 由于其高導通電流和低導通電阻特性,該MOSFET適用于中功率的開關電源、DC-DC轉換器和電池管理系統。它能夠有效地處理中功率,提供高效的電能轉換和分配。
2. **汽車電子**: 在汽車電子系統中,MOSFET需要能夠承受汽車電氣系統的高壓和高溫環境。2SJ477-01MR_06-VB 的特性使其適用于汽車的點火系統、電池管理、動力轉換和驅動控制等應用。
3. **LED照明**: 由于其低導通電阻和高導通電流特性,2SJ477-01MR_06-VB 可以用于中功率LED驅動器和照明控制系統,提供穩定的電源和高效的能量轉換。
4. **工業控制系統**: 在需要中功率的工業控制系統中,2SJ477-01MR_06-VB MOSFET 可以用于各種電路,如變頻器、機器人控制系統和工廠自動化設備中,以提高系統的性能和穩定性。
通過結合高導通電流、低導通電阻和槽溝道技術,2SJ477-01MR_06-VB MOSFET 是中功率應用的理想選擇。其可靠性和性能使其在多個領域和模塊中得到廣泛應用。
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