### 2SJ468-VB MOSFET 產品簡介

#### 產品概述
2SJ468-VB 是一款適用于低功率應用的 P-Channel MOSFET。采用 SOP8 封裝，利用槽溝技術設計，具有高效穩定的性能。適用于需要低功率開關和放大功能的各種應用場合。

#### 詳細參數
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單 P-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 56 mΩ @ VGS = 4.5V
 - 33 mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: -5.8A
- **技術**: 槽溝

### 應用示例

#### 低功率電源管理
2SJ468-VB 可用于低功率電源管理模塊，如便攜式設備和嵌入式系統中的 DC-DC 變換器。其小封裝和低功率特性使其能夠在有限的空間內提供高效的電源管理功能。

#### 模擬電路
在模擬電路中，該 MOSFET 可用于信號開關和放大。其低閾值電壓和低導通電阻使其非常適用于要求精確信號控制和放大的應用，如傳感器接口和音頻放大器。

#### 便攜式電子產品
對于便攜式電子產品，2SJ468-VB 可用于電池管理和功率轉換。其低功率特性和高效能管理功能可延長電池壽命，并提供穩定的電源。

#### 醫療設備
在醫療設備中，該 MOSFET 可用于控制和放大信號。其高性能和可靠性使其成為醫療儀器和設備中的理想選擇，如監護儀和診斷設備。

### 總結
2SJ468-VB P-Channel MOSFET 具有低功率特性、槽溝技術和高性能規格，適用于從低功率電源管理和模擬電路到便攜式電子產品和醫療設備的廣泛應用。