### 產(chǎn)品簡介

2SJ387S-VB 是 VBsemi 公司生產(chǎn)的單通道 P 型 MOSFET，采用 TO252 封裝。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的漏極電流處理能力，適用于一般功率管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: 2SJ387S-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單通道 P 型
- **漏源電壓 (VDS)**: -20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -0.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 25mΩ @ VGS = 2.5V
 - 16mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**: -40A
- **技術(shù)**: Trench（溝槽技術(shù)）

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理模塊**
  - 2SJ387S-VB 可以用作電源管理模塊中的開關(guān)元件，適用于需要較高漏極電流和低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用場合。

2. **電池保護電路**
  - 在電池保護電路中，這款 MOSFET 可以用作開關(guān)元件，用于控制充放電過程，保護電池和設(shè)備。

3. **電機驅(qū)動**
  - 在一些需要高功率的電機驅(qū)動中，2SJ387S-VB 可以用作開關(guān)管，幫助控制電機的啟停和速度。

4. **車載電子**
  - 該器件適用于車載電子領(lǐng)域，如汽車電子控制單元（ECU）和電源管理模塊等，能夠承受汽車環(huán)境中的嚴苛條件。

盡管 2SJ387S-VB 的漏極電流較高，但其在一般功率管理和開關(guān)應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性使其成為許多電子設(shè)備中常見的元件之一。