--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251封裝
- 溝道 P-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 2SJ319L-VB MOSFET 產品簡介
2SJ319L-VB 是一款單 P-Channel MOSFET,采用 TO251 封裝。該器件具有高壓承受能力和低功率損耗特性,適用于需要處理高電壓和低功率的應用場合。通過采用溝道技術,提供了穩定可靠的性能。
### 2SJ319L-VB 詳細參數
- **封裝**:TO251
- **配置**:單 P-Channel
- **漏極-源極電壓(VDS)**:-200V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-2.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 1200mΩ @ VGS = 4.5V
- 1000mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:-5A
- **技術**:溝道

### 應用領域和模塊示例
1. **電源管理**: 由于其高壓承受能力,可用于開關電源和穩壓器,確保高效率和穩定性。
2. **電動車輛充電器**: 在電動車輛充電器中,2SJ319L-VB 可用于控制開關,以實現高壓和低功率的控制。
3. **太陽能逆變器**: 適用于太陽能逆變器中的開關電路,確保高效能轉換和穩定的電能輸出。
4. **工業自動化**: 在工業自動化中,可用于控制系統和驅動器,提供高效的控制和性能。
這些示例展示了 2SJ319L-VB MOSFET 在各種高壓和低功率應用中的多功能性和實用性。
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