--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 P-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、2SJ280S-VB 產品簡介
2SJ280S-VB 是一款由 VBsemi 生產的單一 P-溝道 MOSFET,采用先進的 Trench 技術制造。該器件封裝在 TO263 外殼中,具有較好的散熱性能和高電流承受能力,適用于高功率應用。
### 二、2SJ280S-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO263
- **配置**:單一 P-溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:-60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 25mΩ @ VGS=4.5V
- 19mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:-80A
- **技術**:Trench

### 三、應用領域和模塊示例
2SJ280S-VB 的高功率特性使其適用于多種領域和模塊:
1. **電源管理模塊**:
由于其高功率處理能力,2SJ280S-VB 可以用于服務器電源、工控電源等高功率電源管理模塊,以提供穩定的電源轉換和高效的能量管理。
2. **電動車輛**:
在電動車輛的控制系統中,2SJ280S-VB 可以用于驅動器和電池管理系統,以實現高效的能量轉換和電動車輛的穩定運行。
3. **工業設備**:
該 MOSFET 可以用于工業設備中的高功率開關電路,如機器人、數控設備等,以提供可靠的電源開關和控制功能。
4. **電源逆變器**:
在太陽能和風能等可再生能源系統中,2SJ280S-VB 可以用于逆變器,實現從直流到交流的能量轉換,提供給電網或電器使用。
通過上述應用實例,可以看出2SJ280S-VB 在高功率、高效能量轉換和穩定性要求較高的領域和模塊中具有重要的應用價值。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK654R8-40C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:56
產品型號:BUK654R8-40C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK654R6-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:51
產品型號:BUK654R6-55C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK654R0-75C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:50
產品型號:BUK654R0-75C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK653R7-30C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:47
產品型號:BUK653R7-30C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK653R5-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:35
產品型號:BUK653R5-55C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N