--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 P-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
**2SJ220-VB MOSFET** 是VBsemi 公司生產的一款高性能P-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。該器件采用了先進的溝道技術,具有低導通電阻和高額定電流能力,適用于各種高功率應用場景。
### 二、詳細參數說明
- **封裝形式**:TO263
- **配置**:單P-溝道
- **漏源電壓(VDS)**:-60V
- **柵源電壓(VGS)**:20V(±)
- **柵極閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 77mΩ @ VGS = 4.5V
- 64mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:-30A
- **技術類型**:溝槽技術

### 三、應用領域和模塊舉例
**應用領域:**
1. **高功率電源管理**:
- 由于其低導通電阻和高額定電流能力,2SJ220-VB MOSFET 可以用于高功率電源管理系統中,如電源逆變器、電機控制等。
2. **電動汽車**:
- 在電動汽車的電機控制和電池管理系統中,該器件能夠提供高效的功率轉換和電流控制。
3. **工業自動化**:
- 適用于工業自動化設備中的高功率開關和控制電路,如機器人、數控設備等。
**模塊應用舉例:**
1. **電源逆變器**:
- 在各種電源逆變器模塊中,2SJ220-VB MOSFET 可以用于實現高效的電能轉換。
2. **電焊機**:
- 在電焊機中,該器件可以用于控制電流和實現高頻開關,提高焊接效率和質量。
3. **UPS系統**:
- 適用于UPS系統中的開關電路,確保在電網故障時設備能夠快速切換到備用電源。
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