--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO251封裝
- 溝道 P-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
**2SJ182L-VB MOSFET** 是VBsemi 公司生產(chǎn)的一款高性能P-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件采用了先進的溝道技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高額定電流能力,適用于要求高效率和可靠性的應(yīng)用場景。
### 二、詳細參數(shù)說明
- **封裝形式**:TO251
- **配置**:單P-溝道
- **漏源電壓(VDS)**:-60V
- **柵源電壓(VGS)**:20V(±)
- **柵極閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 80mΩ @ VGS = 4.5V
- 66mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:-20A
- **技術(shù)類型**:溝槽技術(shù)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**應(yīng)用領(lǐng)域:**
1. **電源管理系統(tǒng)**:
- 2SJ182L-VB MOSFET 可以用于電源管理系統(tǒng),特別是在開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中。其低導(dǎo)通電阻有助于提高轉(zhuǎn)換效率。
2. **電機控制**:
- 該器件適用于電機驅(qū)動應(yīng)用,能夠承受高電流并具有較低的開關(guān)損耗,可用于各種電機控制器和伺服系統(tǒng)。
3. **負(fù)載開關(guān)**:
- 在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,2SJ182L-VB能夠提供快速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻,適用于工業(yè)自動化系統(tǒng)中的負(fù)載管理。
**模塊應(yīng)用舉例:**
1. **太陽能逆變器**:
- 該器件可用于太陽能逆變器模塊,通過高效的電能轉(zhuǎn)換提高系統(tǒng)效率。
2. **電動汽車充電器**:
- 在電動汽車充電器中,2SJ182L-VB可用于優(yōu)化電流控制,提供穩(wěn)定和高效的充電。
3. **不間斷電源(UPS)**:
- 在UPS系統(tǒng)中,該MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)電源的快速切換,確保設(shè)備的連續(xù)運行和數(shù)據(jù)安全。
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