### 產品簡介

**2SJ128-Z-VB**是一款單P溝道MOSFET，由VBsemi生產，采用TO252封裝。這款MOSFET具有-100V的漏源電壓（VDS）和20V（±）的柵源電壓（VGS）。其開啟閾值電壓（Vth）為-2V，導通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為4.5V時為280mΩ，在10V時為250mΩ，最大漏極電流（ID）為-8.8A。采用Trench技術，適用于中功率應用場景。

### 詳細參數說明

| 參數                | 規格                    |
|--------------------|------------------------|
| 封裝類型            | TO252                  |
| 配置                | 單P溝道                |
| 漏源電壓（VDS）     | -100V                  |
| 柵源電壓（VGS）     | 20V（±）                |
| 開啟閾值電壓（Vth） | -2V                    |
| 導通電阻（RDS(ON)） | 280mΩ@VGS=4.5V        |
|                    | 250mΩ@VGS=10V          |
| 最大漏極電流（ID）  | -8.8A                  |
| 技術                | Trench                 |

### 應用領域和模塊

1. **電源管理**：2SJ128-Z-VB MOSFET適用于電源管理領域，如電源適配器、充電器等。其高漏源電壓和穩定性能使其能夠承受較高的負載。

2. **功率放大器**：在音頻功率放大器中，這款MOSFET可以用作輸出級的開關元件，控制信號的放大和輸出。

3. **電動工具**：在電動工具中，2SJ128-Z-VB可以用于控制電機的啟停和速度調節，保證工具的穩定性和安全性。