### 產品簡介

VBsemi的2R803GH-VB是一款單N溝道MOSFET，具有低導通電阻和高漏極電流。該器件適用于低壓應用，如電源管理、逆變器和電機驅動。2R803GH-VB采用TO252封裝，適合于需要較高功率處理能力的電路設計。

### 詳細參數說明

- **型號**: 2R803GH-VB
- **封裝形式**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 3mΩ @ VGS = 4.5V, 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊示例

1. **電源管理**：
  - 2R803GH-VB可用于低壓電源管理電路中，如開關電源和逆變器。其低導通電阻和高漏極電流可確保電路的高效能和穩定性。

2. **逆變器**：
  - 在逆變器電路中，該MOSFET可用于控制電能的轉換和調節。其低導通電阻和高漏極電流可確保逆變器電路的高效率和可靠性。

3. **電機驅動**：
  - 作為電機驅動器，2R803GH-VB可用于控制電機的啟停和轉速。其低導通電阻和高漏極電流可確保電機驅動器的穩定性和性能。

綜上所述，VBsemi的2R803GH-VB MOSFET適用于各種低壓應用領域，特別是在電源管理、逆變器和電機驅動等領域表現突出。