### 產品簡介

VBsemi的2P03-VB是一款單P溝道MOSFET，采用Trench技術，封裝在SOT23-6中。這款MOSFET具有負的漏源電壓和低導通電阻，適用于負載開關和級聯開關等領域。

### 詳細的參數說明

- **型號**: 2P03-VB
- **封裝**: SOT23-6
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 54mΩ @ VGS=4.5V
 - 49mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -4.8A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

1. **負載開關**
  - **應用場景**: 用作負載開關元件，控制負載電路的通斷。
  - **模塊**: 電源管理系統中的負載開關模塊。

2. **級聯開關**
  - **應用場景**: 用于級聯開關電路，如級聯LED照明系統中的開關。
  - **模塊**: 級聯LED照明模塊、電源控制器。

3. **負壓保護**
  - **應用場景**: 用作負壓保護開關，保護電路免受過壓損害。
  - **模塊**: 電源保護模塊、負壓保護器。

2P03-VB適用于負載開關和級聯開關等領域，能夠提供穩定可靠的性能，在電源管理系統和LED照明系統中有廣泛的應用。