### 產品簡介

VBsemi 的 2P02-VB 是一款單 P 溝道 MOSFET，采用 SOT23-6 封裝。這款 MOSFET 具有負漏源電壓和低導通電阻，適用于負載開關和級聯電路。

### 詳細參數說明

- **型號**: 2P02-VB
- **封裝**: SOT23-6
- **配置**: 單 P 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 54mΩ @ VGS = 4.5V, 49mΩ @ VGS = 10V
- **漏電流 (ID)**: -4.8A
- **技術**: 平面技術 (Trench)

### 應用領域和模塊示例

1. **電池管理**: 由于 2P02-VB 具有負漏源電壓，可用于設計電池管理系統中的保護電路，用于過壓和過流保護。

2. **負載開關**: 這款 MOSFET 可用作負載開關，用于控制負載的通斷。其低導通電阻和負漏源電壓使其成為負載開關的理想選擇。

3. **DC-DC 變換器**: 在 DC-DC 變換器中，2P02-VB 可用作同步整流器，幫助提高能效。其低導通電阻有助于減少能量損耗。

4. **逆變器**: 適用于逆變器中的級聯電路，用于提供電源開關功能。其負漏源電壓和低導通電阻適用于逆變器的高效能量轉換。