### 產品簡介

VBsemi的2N90L-TM3-T-VB是一款單N溝道MOSFET，具有較高的漏源極電壓和適中的導通電阻。該器件適用于高壓應用，如電源管理、逆變器和電機驅動。2N90L-TM3-T-VB采用TO251封裝，適合于需要較高功率處理能力的電路設計。

### 詳細參數說明

- **型號**: 2N90L-TM3-T-VB
- **封裝形式**: TO251
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 900V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2700mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例

1. **電源管理**：
  - 2N90L-TM3-T-VB可用于高壓電源管理電路中，如開關電源和逆變器。其較高的漏源極電壓和適中導通電阻可確保電路的高效能和穩定性。

2. **逆變器**：
  - 在逆變器電路中，該MOSFET可用于控制電能的轉換和調節。其高漏源極電壓和適中導通電阻可確保逆變器電路的高效率和可靠性。

3. **電機驅動**：
  - 作為電機驅動器，2N90L-TM3-T-VB可用于控制電機的啟停和轉速。其較高的漏源極電壓和適中導通電阻可確保電機驅動器的穩定性和性能。

綜上所述，VBsemi的2N90L-TM3-T-VB MOSFET適用于各種高壓應用領域，特別是在電源管理、逆變器和電機驅動等領域表現突出。