### 1. 產品簡介：

2N80-VB是一款高壓單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術制造，具有高可靠性和適用于高壓環境的特性。該器件適用于需要高電壓和高可靠性的應用場合，如電源逆變器、電機驅動和照明控制等領域。

### 2. 參數說明：

- **器件類型**：單N溝道MOSFET
- **封裝**：TO252
- **最大漏極-源極電壓（VDS）**：800V
- **最大柵極-源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：2600mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**：2A
- **技術特點**：SJ_Multi-EPI

### 3. 應用示例：

- **電源逆變器**：2N80-VB適用于高壓電源逆變器，如太陽能逆變器和UPS系統。其高漏極-源極電壓和低導通電阻特性可以提高逆變器的效率和穩定性。

- **電機驅動**：在高壓電機驅動應用中，2N80-VB可以用作電機控制開關，實現對電機的高效控制。其高漏極-源極電壓和低導通電阻特性可以提高電機驅動系統的效率和穩定性。

- **照明控制**：在照明控制模塊中，2N80-VB可以用作照明控制開關，實現對照明的高效控制。其高漏極-源極電壓和低導通電阻特性可以提高照明控制系統的性能。