### VBsemi 2N80L-TN3-R-VB MOSFET 產品概述
VBsemi 2N80L-TN3-R-VB 是一款 N-Channel MOSFET，采用 TO252 封裝，適用于中功率應用。該器件具有穩定的性能和可靠性，適用于各種電子設備和系統。
### 詳細規格
- **封裝**：TO252
- **配置**：單 N-Channel
- **VDS（漏源電壓）**：800V
- **VGS（柵源電壓）**：±30V
- **Vth（閾值電壓）**：3.5V
- **RDS(ON)（漏源電阻）**：2600mΩ @ VGS = 10V
- **ID（連續漏極電流）**：2A
- **技術**：SJ_Multi-EPI
### 應用示例
1. **電源開關**：
2N80L-TN3-R-VB 可用作電源開關，控制中功率電源的開關。其高漏源電壓和適中的漏源電阻使其成為電源開關的理想選擇。
2. **逆變器**：
該 MOSFET 可用于逆變器電路，將直流電轉換為交流電。其穩定的性能和高漏源電壓使其適用于逆變器應用。
3. **照明控制**：
在照明控制中，2N80L-TN3-R-VB 可用于控制燈光的開關和亮度。其高電壓和適中的電流能力使其成為照明控制的理想選擇。
4. **電動車充電器**：
由于其高漏源電壓和適中的電流能力，該器件可用于電動車充電器中的開關和控制電路。
總的來說，VBsemi 2N80L-TN3-R-VB MOSFET 可在電源開關、逆變器、照明控制和電動車充電器等領域中發揮作用，為各種中功率應用提供高效能的解決方案。
