### 產品簡介

VBsemi的2N70L-TM3-T-VB是一款單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術，封裝在TO251中。這款MOSFET具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻，適用于中功率開關應用，如電源逆變器、電機驅動器等領域。

### 詳細的參數說明

- **型號**: 2N70L-TM3-T-VB
- **封裝**: TO251
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 700V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2400mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊

1. **電源逆變器**
  - **應用場景**: 用作功率開關元件，用于控制電源逆變器的開關。
  - **模塊**: 電源逆變器模塊、電力電子轉換器。

2. **電機驅動器**
  - **應用場景**: 用于控制電機的開關，實現電機的啟停和轉向控制。
  - **模塊**: 電機驅動器模塊、工業自動化系統。

3. **光伏逆變器**
  - **應用場景**: 用于控制光伏電池輸出電壓的逆變器。
  - **模塊**: 光伏逆變器模塊、可再生能源系統。

2N70L-TM3-T-VB適用于中功率開關應用，能夠提供穩定可靠的性能，在電源逆變器、電機驅動器和光伏逆變器等領域有廣泛的應用。