### 產品簡介

**2N7002VC-VB**是一款雙N溝道+N溝道MOSFET，由VBsemi生產，采用SC75-6封裝。這款MOSFET具有60V的漏源電壓（VDS）和20V（±）的柵源電壓（VGS）。其開啟閾值電壓（Vth）為1.7V，導通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為4.5V時為1500mΩ，在柵源電壓為10V時為1200mΩ，最大漏極電流（ID）為0.3A。采用Trench技術，適用于低功率應用場景。

### 詳細參數說明

| 參數                | 規格                    |
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| 封裝類型            | SC75-6                 |
| 配置                | 雙N溝道+N溝道           |
| 漏源電壓（VDS）     | 60V                    |
| 柵源電壓（VGS）     | 20V（±）                |
| 開啟閾值電壓（Vth） | 1.7V                   |
| 導通電阻（RDS(ON)） | 1500mΩ@VGS=4.5V, 1200mΩ@10V |
| 最大漏極電流（ID）  | 0.3A                   |
| 技術                | Trench                 |

### 應用領域和模塊

1. **功率開關**：2N7002VC-VB MOSFET適用于各種功率開關應用，如低功率電源開關、電機驅動等。其低導通電阻和高漏源電壓使其能夠承受一定的功率負載。

2. **逆變器**：在逆變器電路中，這款MOSFET可以用來控制電路的開關，實現電壓的變換。其高可靠性和穩定性使其成為逆變器電路的理想選擇。

3. **模擬開關**：2N7002VC-VB還可以用于模擬開關應用，如音頻信號開關、視頻信號開關等。其雙N溝道和N溝道配置使其能夠實現更多的開關功能。