### VBsemi 2N65-VB MOSFET 產品概述
VBsemi 2N65-VB 是一款 N-Channel MOSFET，采用 TO220 封裝，適用于低功率應用。該器件具有穩定的性能和可靠性，適用于各種電子設備和系統。
### 詳細規格
- **封裝**：TO220
- **配置**：單 N-Channel
- **VDS（漏源電壓）**：650V
- **VGS（柵源電壓）**：±30V
- **Vth（閾值電壓）**：3.5V
- **RDS(ON)（漏源電阻）**：
- 3900mΩ @ VGS = 4.5V
- 3120mΩ @ VGS = 10V
- **ID（連續漏極電流）**：2A
- **技術**：Plannar
### 應用示例
1. **低功率電源**：
2N65-VB 可用于低功率電源中的功率開關和控制。其穩定的性能和低功率特性使其成為各種低功率應用的理想選擇。
2. **電源適配器**：
該 MOSFET 可用于電源適配器中的功率開關和控制。其穩定的性能和低功率特性有助于提高適配器的效率和穩定性。
3. **LED 驅動器**：
在 LED 驅動器中，2N65-VB 可用于功率開關和控制。其穩定的性能和低功率特性使其成為 LED 驅動器的關鍵組件。
4. **消費電子產品**：
由于其低功率特性，該器件可用于各種消費電子產品中的功率開關和控制，如電視機、音響系統等。
總的來說，VBsemi 2N65-VB MOSFET 可在低功率電源、電源適配器、LED 驅動器和消費電子產品等領域中發揮作用，為各種低功率應用提供高效能的功率開關和控制解決方案。
