### 產品簡介

**2N65H-VB**是一款單N溝道MOSFET，由VBsemi生產，采用TO252封裝。這款MOSFET具有650V的漏源電壓（VDS）和30V（±）的柵源電壓（VGS）。其開啟閾值電壓（Vth）為3.5V，導通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為4.5V時為3440mΩ，在柵源電壓為10V時為4300mΩ，最大漏極電流（ID）為2A。采用Plannar技術，適用于低功率應用場景。

### 詳細參數說明

| 參數                | 規格                    |
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| 封裝類型            | TO252                  |
| 配置                | 單N溝道                |
| 漏源電壓（VDS）     | 650V                   |
| 柵源電壓（VGS）     | 30V（±）               |
| 開啟閾值電壓（Vth） | 3.5V                   |
| 導通電阻（RDS(ON)） | 3440mΩ@VGS=4.5V, 4300mΩ@10V |
| 最大漏極電流（ID）  | 2A                     |
| 技術                | Plannar                |

### 應用領域和模塊

1. **低功率逆變器**：2N65H-VB MOSFET適用于低功率逆變器，如家用電器逆變器、電源逆變器等。其低導通電阻和適中的漏源電壓使其能夠提供高效的電能轉換。

2. **LED照明驅動**：在LED照明驅動電路中，這款MOSFET可以用來控制LED燈條、LED燈泡等的亮度和開關。其高漏源電壓和低導通電阻特性使其能夠提供穩定的驅動電流。

3. **電源管理**：在各種電源管理電路中，2N65H-VB MOSFET可以用作開關元件，如DC-DC轉換器、穩壓器等。其高可靠性和穩定性使其成為電源管理領域的理想選擇。