### 產品簡介

**2N60L-TF1-T-VB**是一款單N溝道MOSFET，由VBsemi生產，采用TO220F封裝。這款MOSFET具有650V的漏源電壓（VDS）和30V（±）的柵源電壓（VGS）。其開啟閾值電壓（Vth）為3.5V，導通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為10V時為1700mΩ，最大漏極電流（ID）為2A。采用Plannar技術，適用于低功率應用場景。

### 詳細參數說明

| 參數                | 規格                    |
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| 封裝類型            | TO220F                  |
| 配置                | 單N溝道                |
| 漏源電壓（VDS）     | 650V                    |
| 柵源電壓（VGS）     | 30V（±）                |
| 開啟閾值電壓（Vth） | 3.5V                    |
| 導通電阻（RDS(ON)） | 1700mΩ@VGS=10V          |
| 最大漏極電流（ID）  | 2A                      |
| 技術                | Plannar                 |

### 應用領域和模塊

1. **低功率電源**：2N60L-TF1-T-VB MOSFET適用于低功率電源模塊，如適配器、小型電源供應器和充電器。其低導通電阻和低功率特性使其能夠提供穩定可靠的電源輸出。

2. **照明控制**：在LED照明和其他低功率照明系統中，這款MOSFET被用來調節電流和控制亮度，確保系統的高效和穩定運行。

3. **汽車電子**：在汽車電子系統中，2N60L-TF1-T-VB MOSFET可以用于低功率應用，如車內照明、輔助電路和傳感器控制。其高壓和低功率特性使其能夠滿足汽車電子系統對功率密度和效率的要求。