### 產品簡介

VBsemi的2N60LL-TF1-T-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Plannar技術，封裝在TO220F中。這款MOSFET具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻，適用于中功率開關應用，如電源管理、電機控制等領域。

### 詳細的參數說明

- **型號**: 2N60LL-TF1-T-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 1700mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術**: Plannar

### 應用領域和模塊

1. **電源管理**
  - **應用場景**: 用作中功率開關元件，用于DC-DC轉換器和AC-DC轉換器中，提供穩定的電源輸出。
  - **模塊**: 電源適配器、電源模塊、電源管理IC。

2. **電機控制**
  - **應用場景**: 用于中功率電機的驅動電路，提供對電機的有效控制。
  - **模塊**: 中功率電機驅動器、工業電機控制系統。

3. **照明**
  - **應用場景**: 用作LED照明系統中的開關元件，控制LED的亮度和開關。
  - **模塊**: LED驅動器、照明控制系統。

2N60LL-TF1-T-VB適用于中功率開關應用，能夠提供穩定可靠的性能，在電源管理、電機控制和照明等領域有廣泛的應用。