### 產品簡介
VBsemi的2N120-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，采用了溝槽技術制造，具有低導通電阻和高電流能力。該器件適用于需要高電壓和中等電流的應用，如電源管理、電機驅動和工業控制等領域。2N120-VB采用TO252封裝，具有良好的散熱性能和中等功率密度，適合于需要中等功率密度和高可靠性的應用。
### 詳細參數說明
- **型號**: 2N120-VB
- **封裝形式**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 55mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術**: 溝槽技術
### 應用領域和模塊示例
1. **電源管理系統**：
- 在需要中等功率密度和高電壓的電源管理系統中，2N120-VB可用于DC-DC轉換器和AC-DC適配器。其中等導通電阻和高漏源極電壓使其能夠提供穩定的功率輸出。
2. **工業控制**：
- 在工業控制系統中，該MOSFET適用于電機驅動器和電源逆變器。其高漏源極電壓和適中的導通電阻可滿足工業控制系統對穩定性和效率的要求。
3. **照明系統**：
- 在LED照明系統中，2N120-VB可用作LED驅動器的開關器件。其高漏源極電壓和中等導通電阻可確保LED照明系統的穩定性和高效能。
4. **醫療設備**：
- 在醫療設備中，該MOSFET可用于電源管理和電機驅動等應用。其高可靠性和穩定性可確保醫療設備的安全運行。
綜上所述，VBsemi的2N120-VB MOSFET適用于各種需要中等功率密度和高電壓的應用領域，特別是在電源管理、工業控制和照明系統等領域表現突出。
