### VBsemi 2N04H4-VB MOSFET 產品概述

VBsemi 2N04H4-VB 是一款高性能的單 N-通道 MOSFET，設計用于各種功率管理應用。該 MOSFET 封裝在 TO262 封裝中，適用于中功率應用。它采用了溝槽技術，具有較低的導通電阻和高電流承載能力，適用于要求高功率和高效率的應用場合。

### 詳細規格

- **封裝：** TO262
- **配置：** 單 N-通道
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 60V
- **VGS（柵極-源極電壓）：** ±20V
- **Vth（柵極閾值電壓）：** 2V
- **RDS(ON)（導通電阻）：** 5.7mΩ @ VGS = 10V
- **ID（連續漏極電流）：** 75A
- **技術：** 溝槽

### 應用和用例

VBsemi 2N04H4-VB MOSFET 適用于各種領域和模塊：

1. **電源模塊：**
  - **直流-直流轉換器：** 用于中功率直流-直流轉換器的功率開關，提供穩定的輸出電壓和高效率。
  - **直流-交流逆變器：** 在直流-交流逆變器中用于控制功率開關，提高能源轉換效率。

2. **電池管理系統：**
  - **電池充放電控制：** 用于控制電池充放電的功率開關，確保電池的安全和高效率。

3. **醫療設備：**
  - **醫用成像設備：** 用于醫用成像設備中的電源開關，確保精確的成像和高效的能源利用。

4. **電動工具：**
  - **電動鉆機和電動鋸：** 用于控制電動工具的電源開關，提供高效率和高功率輸出。

5. **汽車電子：**
  - **車載充電器：** 用于汽車充電器中的功率開關，提供高效率和安全性的充電服務。

VBsemi 2N04H4-VB MOSFET 具有極低的導通電阻和高電流承載能力，適用于各種高功率和高效率應用，包括電源模塊、電池管理系統、醫療設備等。