### 產品簡介

VBsemi 的 2N03L06-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 TO220 封裝。這款 MOSFET 具有低導通電阻和高漏電流特性，適用于高電流功率應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: 2N03L06-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 4mΩ @ VGS = 4.5V, 3mΩ @ VGS = 10V
- **漏電流 (ID)**: 120A
- **技術**: 溝槽技術 (Trench)

### 應用領域和模塊示例

1. **電源模塊**: 2N03L06-VB 可用于高功率電源模塊，例如直流-直流轉換器 (DC-DC) 和直流-交流轉換器 (DC-AC)。其低導通電阻和高漏電流能力有助于提高轉換效率和穩定性。

2. **電池管理系統**: 在電池管理系統中，這款 MOSFET 可用于電池保護電路和電池充放電控制。其低導通電阻和高可靠性使其成為電池系統中的理想選擇。

3. **電機驅動**: 對于需要高電流驅動的電機應用，例如電動工具和電動車輛，2N03L06-VB 可用作電機控制開關。其高漏電流和低導通電阻可提供高效的電機運行。

4. **汽車電子**: 在汽車電子應用中，這款 MOSFET 可用于電動助力轉向 (EPS) 系統、車身控制模塊 (BCM) 和電動窗控制等領域。其高電流承載能力和低導通電阻適合汽車應用的嚴苛環境要求。

5. **工業自動化**: 在工業自動化領域，2N03L06-VB 可用于控制器、繼電器和其他自動化設備中，提供穩定的開關性能和高效的功率傳輸，確保設備的可靠性和長壽命。