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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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2N03L05-VB TO220一款N-Channel溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 2N03L05-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 1. 產品簡介:

2N03L05-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用Trench技術制造,具有低導通電阻和高漏極電流特性。該器件適用于需要高功率和高效率的應用場合,如電源管理、電機驅動和電池管理等領域。

### 2. 參數說明:

- **器件類型**:單N溝道MOSFET
- **封裝**:TO220
- **最大漏極-源極電壓(VDS)**:30V
- **最大柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:4mΩ @ VGS=4.5V, 3mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:120A
- **技術特點**:Trench

### 3. 應用示例:

- **電源管理**:2N03L05-VB適用于高功率電源管理模塊,如開關電源和穩壓器。其低導通電阻和高漏極電流特性可以提高電源的效率和穩定性。

- **電機驅動**:在電機驅動模塊中,2N03L05-VB可以用作功率開關,實現對電機的高效控制。其高導通電阻和高漏極電流特性可以提高電機系統的效率。

- **電池管理**:在電池管理系統中,2N03L05-VB可以用作開關管,用于控制電池充放電。其高漏極電流和低導通電阻特性可以提高電池管理系統的效率和穩定性。

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