--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### VBsemi 2N03L04-VB MOSFET 產品概述
VBsemi 2N03L04-VB 是一款高性能的單 N-通道 MOSFET,設計用于各種功率管理應用。該 MOSFET 封裝在 TO263 封裝中,適用于中功率應用。它采用了溝槽技術,具有極低的導通電阻和高電流承載能力,適用于要求高功率和高效率的應用場合。
### 詳細規格
- **封裝:** TO263
- **配置:** 單 N-通道
- **VDS(漏極-源極電壓):** 30V
- **VGS(柵極-源極電壓):** ±20V
- **Vth(柵極閾值電壓):** 1.7V
- **RDS(ON)(導通電阻):**
- 2.7mΩ @ VGS = 4.5V
- 2.4mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續漏極電流):** 98A
- **技術:** 溝槽

### 應用和用例
VBsemi 2N03L04-VB MOSFET 適用于各種領域和模塊:
1. **電源模塊:**
- **直流-直流轉換器:** 用于中功率直流-直流轉換器的功率開關,提供穩定的輸出電壓和高效率。
- **直流-交流逆變器:** 在直流-交流逆變器中用于控制功率開關,提高能源轉換效率。
2. **電池管理系統:**
- **電池充放電控制:** 用于控制電池充放電的功率開關,確保電池的安全和高效率。
3. **醫療設備:**
- **醫用成像設備:** 用于醫用成像設備中的電源開關,確保精確的成像和高效的能源利用。
4. **電動工具:**
- **電動鉆機和電動鋸:** 用于控制電動工具的電源開關,提供高效率和高功率輸出。
5. **汽車電子:**
- **車載充電器:** 用于汽車充電器中的功率開關,提供高效率和安全性的充電服務。
VBsemi 2N03L04-VB MOSFET 具有極低的導通電阻和高電流承載能力,適用于各種高功率和高效率應用,包括電源模塊、電池管理系統、醫療設備等。
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